Galaxy S25 Edge là một trong những mẫu điện thoại hàng đầu sở hữu thiết kế cực kỳ mỏng và tinh tế. Tuy nhiên, sự mỏng manh này đi kèm với những đánh đổi về dung lượng pin và tốc độ sạc – những chi tiết đã được hé lộ trong chứng nhận 3C mới nhất.
Để đạt được thiết kế mỏng như ý, Samsung phải chấp nhận hạn chế công nghệ pin trên Galaxy S25 Edge
Theo chứng nhận 3C, Galaxy S25 Edge sẽ được trang bị pin 3.900 mAh và hỗ trợ sạc nhanh 25W. So với Galaxy S25 cơ bản với pin 4.000 mAh, sự chênh lệch này cho thấy để đạt được thiết kế mỏng, Samsung đã phải hy sinh một phần hiệu suất. Điều này cũng cho thấy Samsung vẫn chưa thể áp dụng công nghệ pin silicon-carbon đang được nhiều nhà sản xuất điện thoại Trung Quốc sử dụng để cung cấp pin có dung lượng lên tới 6.000 mAh.
Pin là yếu điểm lớn nhất trên Galaxy S25 Edge
Mặc dù Samsung và Apple đang nghiên cứu công nghệ pin silicon-carbon cho các sản phẩm tương lai nhưng hiện tại, cả hai đều đang tụt lại phía sau so với các đối thủ. Nếu áp dụng công nghệ pin silicon-carbon, Galaxy S25 Edge có thể sở hữu pin lên tới 5.000 mAh mà không làm ảnh hưởng đến độ mỏng.
Về tốc độ sạc, Samsung có thể đã giới hạn mức tiêu thụ điện năng của Galaxy S25 Edge ở mức 25W để tránh tình trạng quá nhiệt, điều này có thể làm giảm tuổi thọ của thiết bị. Mặc dù vậy, Galaxy S25 Edge vẫn được trang bị phiên bản Snapdragon 8 Elite với lõi hiệu năng cao hoạt động ở mức 4,47 GHz, cao hơn so với 4,32 GHz mặc định.
Bất chấp trang bị chip tiên tiến, Galaxy S25 Edge không đạt được điểm số ấn tượng như mong đợi, có thể do phần mềm chưa được tối ưu hóa hoặc thiết kế quá mỏng gây ra tình trạng tắc nghẽn hiệu suất. Những người dự định sử dụng Galaxy S25 Edge như một thiết bị hằng ngày cần lưu ý rằng mẫu điện thoại này có thể không cung cấp thời gian sử dụng và tốc độ sạc tốt như các mẫu khác.
Nguồn: https://thanhnien.vn/hai-tinh-nang-samsung-phai-hy-sinh-de-co-galaxy-s25-edge-185250126115101206.htm
